可靠性预计技术的发展研究下载

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  • 美国自1962年出版MIL-HDBK-217以来已经公布了7个更新版本。1962年的217手册是依据试验数据、装配数据、系统鉴定数据和现场数据而获得的综合统计结果。各类元器体采用同一环境系数,尽管比较粗糙,但预计结果比较接近实际情况。 

    1965年的217A仅采用有控制的试验数据(进库试验和鉴定试验等),给出失效率与应力的曲线,现场数据仅用来确定环境系数,从而各类别元器件失效率预计模型有了各自的环境系数,但217A预计的设备故障率比217大10倍左右,预计的准确性受到怀疑。
    1974年的217B较全面地考虑了影响失效率的多种因素,增加了质量系数,在统计过程中更加重视现场数据,提高了预计的准确性,217B标志着美国可靠性预计技术逐渐走向成熟。
    1991年的217F给出了19大类元器件的预计模型及参数,重要的修改有:
    (1)PLA、PAL电路门数从217E的30000门扩展至60000门;
    (2)修改了EEPROM的预计模型,考虑了EEPROM改写次数、改写方式和产品结构的影响; 
    (3)MOS型VLSIC的预计模型增加了λEOS系数,考虑了电过应力的影响;
    (4)双极型微波分立器件模型分为低噪声和大功率两种;增加了GaAs和Si微波场效应管的预计模型。
    1995年发布的217F 
    NOTICE2首次给出了表面安装元器件及其连接的可靠性预计模型及其参数,80年代以来,SMT技术迅猛发展,到90年代中期,美国和日本的SMT元器件销量占元器件总量的50%以上。SMT可使印制板的尺寸减小40%,重量减轻70%以上,在航天、航空、通讯等军、民用电子领域普遍应用,SMT的可靠性预计也引起广泛关注。217F 
    NOTICE2在这方面取得突破,给出了各种SMT元器件以及3种引线形状、2种元器件封装衬底材料和22种材料做成的电路板的可靠性预计模型,并强调了温度循环对SMT连接可靠性的影响[1]。
    与微电路和半导体分立器件一样,元件(电阻、电容等)的预计模型中,把温度的影响从基本失效率λb中提了出来,以πT来表示,πT则采用典型的阿伦尼斯模型,删除了原模型的加速常数,元器件承受温度应力的能力更强,整本手册也更为统一。
    从217E至217F 
    NOTICE2跨越了13年,微电子器件的失效率有明显的下降(见图1),元件的失效率变化比较平缓。这与微电路发展、成熟的时间过程相吻合。
    随着电子工业的发展,元器件品种的扩展和可靠性水平的提高,我国编制的预计手册也需要适时再版。为修订1987年的GJB/Z 
    299-87共收集、分析处理了1.17×10.11元件小时的试验和现场数据。
    GJB/Z 299B的主要改进:
    (1)调整了各类别元器件的预计失效率水平,使预计结果进一步吻合我国当前实际;
    (2)更新了质量等级划分表中的生产执行标准,调整了对应的质量系数,特别是通过国军标认证的产品在πQ表中均得到反映;
    (3)增加了微处理器、EEPROM、DRAM、大功率微波双极型晶体管、砷化镓场效应晶体管、固体继电器、电子滤波器等24类别元器件失效预计模型及数据;

下载信息

  • 运行环境: Win9x/NT/2000/XP/
    资料作者: 依依
    开发语言: 简体中文
    资料类别: 国产软件
    下载累计: 本地下载1
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